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Episode 16: 高溫下記憶體錯誤演算法的設計

By 2024-04-099 5 月, 2024No Comments

高溫對記憶體錯誤的影響
在記憶體測試時,高溫會導致電路上的訊號產生Thermal Noise,這些噪音會干擾記憶體cell的儲存狀態,造成反轉,導致錯誤的訊號產生。

如何設計專用的演算法?
芯測科技採用Retention test 和 March C+和連續多次重複的讀寫操作,組合而成這個特製的演算法。而這個特製的演算法是在芯測科技專門的UDA (User Defined Algorithm,使用者自定義演算法開發平台)上開發的。其中Retention test是用來檢測DRF,也就是Data Retention Fault (資料保留錯誤) ,當記憶體cell在未被讀寫的情況下,經過一段時間後,遺失原先儲存的邏輯值,我們稱之為軟錯誤 (Soft Error),而重複多次的讀寫操作則是針對FinFET製程下的動態記憶體失效進行檢測。

當診斷出軟錯誤時,應該如何修復?
芯測科技提供ECC (Error-Correcting Codes,錯誤更正碼)功能,可自動偵測軟錯誤,並進行一系列的記憶體修復流程,包含錯誤檢測、確定錯誤類型和糾正錯誤等流程。透過上述流程來確保資料傳輸的正確性及安全性。此外,可以搭配記憶體修復技術,進行錯誤記憶體的修復工程。

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