芯測科技所開發的EZ-NBIST，即是用於生成eFlash IP的BIST和BISR的專屬EDA工具。
芯測科技的BIST實現了所有eFlash的測試項目，涵蓋晶圓軟體測試和最終測試。BIST擁有靈活的串列式介面，可減少IC測試接腳的使用，增加了BIST測試的彈性。所有測試項目可以個別啟用和停用；此工具並提供診斷模式以測試缺陷位址。
芯測科技的BISR記錄了eFlash故障的記憶體位址，並使用備援區域來提高eFlash IC的產品良率，同時提供自動修復功能。
1. 非揮發性記憶體(NVM)IP的測試方法
eFlash IP的測試方法涵蓋聯電40nm、55nm及SST 0.11um、0.18um晶圓，以及客製化嵌入式eFlash IP的所有晶圓分類及最終測試。芯測科技開發了圖形使用者介面(GUI)EZ-NBIST工具(可配置化非揮發性記憶體測試與修復電路開發環 境)，以節省非揮發性記憶體(NVM) IP的BIST編碼時間。EZ-NBIST遵循eFlash供應商的測試方法，實現了所有測試項目的時序圖，並節省了ATE上長時間的平行測試。
2. 為什麼NVM IP需要使用BIST和BISR？
NVM IP的測試功能相當複雜，涉及各種干擾條件。記憶體BIST可在IC中增加邏輯，使得SoC可以自行測試其內部的記憶體操作。MBIST透過有效的測試演算法測試eFlash巨集，以檢測可能出現的所有故障問題。MBIST並根據 eFlash供應商的需求，生成測試模式並進行讀取，以找出eFlash中的缺陷。 BISR是增加修復電路，使用備份記憶體來提高eFlash IC的產品良率。
3. 芯測科技為NVM IP打造的BIST和BISR功能
芯測科技所開發的EZ-NBIST，即是用於生成eFlash IP的BIST和BISR的專屬EDA工具。芯測科技的BIST實現了所有eFlash的測試項目，涵蓋晶圓軟體測試和最終測試。BIST擁有靈活的串列 式介面，可減少IC測試接腳的使用，增加了BIST測試的彈性。所有測試項目可以個別啟用和停用；此工具並提供診斷模式以測試缺陷位址。芯測科技的BISR記錄了eFlash故障的記憶體位址，並使用備援區域來提高eFlash IC的產品良率，同時提供自動修復功能。
圖1
圖2
圖3
圖4
4. EZ-NBIST操作說明
EZ-NBIST以GUI為主，專為NVM產出BIST和BISR。圖5為EZ-NBIST的GUI介面圖，操作時首先須點選「Config」下拉式選單中的「EZ-NBIST Config」。
圖5
接下來點選「Run」下拉式選單中的「Run…」，以執行EZ-NBIST。
圖6
5. EZ-NBIST支援的NVM IP
EZ-NBIST GUI支援以下eFlash IP：UMC 64Kx144、UMC 16Kx128、SST 128Kx32、SST 16Kx32，同時也支援其他客製化的IP尺寸。使用者可選擇 UMC、SST 和定製的 eFlash 巨集類型、供應商類型和特定的 eFlash 巨集大小，如圖 7 和圖 8 所示。
圖7
圖8
6. EZ-NBIST涵蓋的介面種類
EZ-NBIST支援三種串列式介面，包括JTAG、IEEE1149.7和SPI，如圖9所示。圖10、11、12則分別為JTAG介面、IEEE1149.7面、以及SPI介面的eFlash測試和修復區塊。
圖9
圖10
圖11
圖12
7. EZ-NBIST的靈活性
EZ-NBIST支援不同的eFlash巨集大小的可配置化BIST和BISR IP，所有的eFlash時間參數都可作調整。圖13呈現所有可個別啟動或停用的測試項目。
圖13
EZ-NBIST可幫助使用者生成完整的綜合RTL、驗證環境、測試模式、行為模型和客製化的eFlash資料庫，如圖14所示。
圖14
若要使用eFlash模型執行模擬，使用者可以選擇一個測試模式來生成模擬轉儲檔案。例如：執行「2」來啟動「ws1」測試項目的模擬流程，如圖15所示。
圖15
8. 結論
EZ-NBIST 提供 UMC 和 SST 的專業 eFlash BIST/BISR 測試項目。EZ-NBIST 節省了 eFlash 在 ATE 調整參數的時間；SoC 增加的 eFlash BIST 和 BISR 電路面積也在可接受範圍。EZ-NBIST 也是容易操作設定，可讓使用者輕鬆完成 eFlash IP 的測試電路。
硬體研發部 經理 韓承諺Hansa