2025

  • 新产品 START™ v5 与 EZ-BIST™ v2 发表。
  • 子公司上海芯復瑞成功取得 ISO 9001:2015 认证。
  • 通过 ISO/IEC 27001:2022 信息安全管理系统认证。
  • 荣获「2025年度优秀车规芯片提供商」殊荣。
  • 取得「Configurable Testing and Repair System for Non-Volatile Memory」美国发明专利。

2024

  • 荣获ISO 26262 TCL1软件工具置信水平」认证。
  • 扩大设计服务项目:后端设计服务、专案规格制定、晶圆製造服务。
  • 荣获ISO 26262汽车功能安全工程师」认证。
  • 取得「测试结果分析装置」台湾新型专利。
  • 推出可确保芯片生命週期的EZ-Monitor SRAM BIST IP。
  • 推出可用于量产后改变测试算法的EZ-TEC SRAM BIST IP。
  • 推出符合ISO 26262车规级芯片的EZ-Safety SRAM BIST IP。
  • 推出eFlash专用的eFlash BIST IP。
  • 提供SONOS eFlash IP。
  • 取得「内存修复电路、内存模块及内存修复方法」中国专利。

2023

  • 取得「 METHOD FOR GENERATINGAN MEMORY BUILT-IN SELF-TEST ALGORITHM CIRCUIT」美国专利。
  • 推出云端EDA工具服务平台:iSTART-Cloud。
  • 荣获ISO 9001:2015品质管理系统」认证。

2022

  • 实施库藏股买回500,000股。
  • 推出START v3 迎接车用电子市场。
  • 成立大陆子公司「上海芯復瑞」。
  • 取得「用于产生内存自我测试算法电路之方法」台湾专利。
  • 现金增资30,000仟元,实收资本额增加为新臺币254,170仟元。

2021

  • 取得科技事业核准函。

2020

  • 现金增资17,000仟元及员工认股权凭证转换股份新臺币16,010仟元,实收资本额增加为新臺币204,170仟元。
  • 与南京邮电大学南通研究院产学合作共同培育人才计画。
  • 提供车用芯片ISO 26262功能性安全要求。
  • 推出START v2迎接5G新世代。
  • 与中华大学共同成立实验室培育人才。
  • 核准股票公开发行。
  • 核准股票登录兴柜。
  • 现金增资20,000仟元,实收资本额增加为新臺币224,170仟元。

2019

  • 更名为「芯测科技股份有限公司」。
  • 提供便捷版内存测试方案EZ-BIST。
  • 提供车用芯片内存测试专用算法。
  • 现金增资50,000仟元及员工认股权凭证转换股份新臺币10,580仟元,实收资本额增加为新臺币171,160仟元。

2018

  • 提供检测与修復结合的SRAM解决方案-START。
  • 获金炬奖肯定。
  • 员工认股权凭证转换股份新臺币2,520仟元,实收资本额增加为新臺币110,580仟元。

2017

  • 进驻台元科技园区。
  • 推出即时非挥发性内存测试与修復解决方案。
  • 发表新版内存测试电路开发环境-BRAINS 3.0。
  • 现金增资55,000仟元,实收资本额增加为新臺币108,060仟元。

2016

  • 荣获金锋奖杰出企业、创业楷模双料奖项。
  • 发表累加式记忆体修復技术H.E.A.R.T。
  • 现金增资13,560仟元、债权转增资21,500仟元及减资弥补亏损10,116仟元,实收资本额增加为新臺币53,060仟元。

2015

  • 取得「混合式自我测试电路结构」台湾专利。

2014

  • 取得「混合式自我测试电路结构Hybrid self-test circuit structure」中国专利。
  • 取得「算法整合系统及其整合方法Algorithm integrating system and integrating method thereof」中国专利。
  • 取得「算法整合系统及其整合方法ALGORITHM INTEGRATING SYSTEM AND INTEGRATING METHOD THEREOF」台湾专利。
  • 取得「内嵌式测试模组EMBEDDED TESTING MODULE」台湾专利。
  • 取得「ALGORITHM INTERGRATING SYSTEM AND INTEGRATING METHOD THEREOF」美国专利。

2013

  • 取得国立清华大学技术移转授权「内存之修復方法及其系统Method for Repairing Memory and System Thereof」美国及台湾专利。
  • 取得国立清华大学技术移转授权「应用于反及闸快闪内存之内建式自我修復方法及其系统Built-In Self-Repair Method for NAND Flash Memory and System Thereof」美国及台湾专利。
  • 现金增资8,086仟元及债权转增资230仟元,实收资本额增加为新臺币28,116仟元。

2012

  • 现金增资新臺币8,222仟元及债权转增资3,278仟元,实收资本额增加为新臺币19,800仟元。
  • 取得「HYBRID SELF-TEST CIRCUIT STRUCTURE」美国专利。

2009

  • 本公司核准设立,实收资本额为8,300仟元。

2009

  • 本公司核准设立,实收资本额为8,300仟元。