在汽車應用中，SRAM扮演著暫存與高速緩衝的重要角色，但它也暴露在極端溫度與電壓環境下，容易出現各種潛在失效。對於需達到ISO 26262 ASIL-C或ASIL-D的車用晶片來說，任何一種記憶體缺陷都可能導致系統功能安全風險。因此，我們必須了解並覆蓋所有潛在的SRAM失效類型。
常見的失效大致可依操作行為分為三類：
寫入操作
- 固定型故障（Stuck-At Fault, SAF）：儲存單元無法被寫成0或1，通常是由於上拉電阻或下拉電阻的電晶體損壞。
- 寫入干擾錯誤（Write Disturb Fault, WDF）：對某個cell寫入時，鄰近的cell意外被翻轉。
- 存取故障與開路故障（Access Fault, Open Fault）：如wordline或bitline導通異常，導致訊號無法正確寫入。
讀取操作
- 固定型故障：與寫入類似，但這裡是感測電路錯誤，導致讀取值一直是錯誤狀態。
- 讀取干擾錯誤（Read Disturb Fault, RDF）：讀取動作意外改變cell內資料，特別是資料保留力弱的cell。
- 偽讀破壞故障（Deceptive Read Destructive Fault, DRDF）：表面讀取成功，但實際已悄悄破壞cell內的資料。
- 資料保持錯誤（Data Retention Fault, DRF）：在特定時間後資料自動消失，常與漏電或閂鎖效應較弱有關。
寫入加讀取的組合操作
- 轉換錯誤（Transition Fault, TF）：cell無法從0切換到1，或1切換到0，需透過交替寫入與讀取來偵測。
- 動態錯誤（Dynamic Fault）：例如兩次寫入與兩次讀取的操作中才會出錯，需仰賴如March C-、March SS等測試演算法來捕捉。
針對車用SoC的環境與可靠度要求，以上這些失效類型都是高風險，必須一一覆蓋。例如WDF、RDF、TF與DRF在高溫、高壓或低溫、低壓下都會更加嚴重，特別需要透過客製化測試演算法來針對性覆蓋。
iSTART-TEK設計一套專門針對這些失效類型的SRAM測試算法。利用iSTART-TEK的UDA（使用者自定演算法）與TEC（Test Element Change）技術，可以靈活產生具備高覆蓋率的測試序列，不但能強化車用晶片品質，也能達成ASIL-C/D等級的功能安全要求。