近期記憶體市場價格波動再次成為半導體產業焦點。尤其在 DRAM、利基型記憶體價格持續走升的情況下，許多依賴外掛 memory 的系統設計正面臨新的成本壓力。對顯示驅動晶片（Display Driver IC, DDI）產業而言，影響層面不僅是採購成本問題，更牽涉下一代產品的架構選擇。
在小尺寸顯示應用，例如智慧手機 OLED、穿戴裝置或車載小型面板中，DDI 通常傾向將顯示緩衝區直接做在晶片內部，以內嵌 SRAM 作為 frame buffer。這類架構的優勢包括低延遲、低功耗、封裝簡化，且有助於裝置輕薄化。
但到了大尺寸面板，例如電視、高階顯示器或大型車載中控螢幕，情況就不同了。當解析度提升至 4K、8K，影像資料量暴增，若完全依靠內嵌記憶體，SRAM 面積可能大幅膨脹，導致晶片裸晶尺寸過大，進一步推高成本並影響良率。因此，這類 DDI 過去多採用外掛 DRAM 或 SDRAM，以較低的單位記憶體成本換取容量彈性。
然而市場條件正在改變。外掛 記憶體的最大優勢一直是容量成本低，但其弱點也越來越明顯。首先是供應鏈風險。外部記憶體價格容易受到景氣循環、產能調整與供需失衡影響，造成 BOM 成本難以預估。其次是系統功耗與延遲問題。資料在 DDI 與外部記憶體間頻繁搬移，不僅增加 I/O 功耗，也會形成頻寬瓶頸。
相較之下，內嵌 SRAM 雖然占用晶片面積較大，卻能提供極高頻寬與極低延遲，尤其在高刷新率、高畫質顯示需求持續增加的情況下，其技術價值正在上升。值得注意的是，當外掛記憶體價格上漲，而 SRAM 成本相對穩定時，企業勢必會重新評估架構的成本組合。
過去企業可能認為增加 SRAM 成本太高，因此選擇外掛記憶體；但當外掛記憶體不再便宜，甚至帶來供應風險時，直接提升 DDI 內嵌 SRAM 容量，反而可能成為更具策略性的選擇。
當然，內嵌 SRAM 也會面臨其他的挑戰。SRAM 容量增加，意味著晶片上記憶體面積占比持續上升。在先進製程中，許多 SoC 的 SRAM 面積占比甚至已超過 50%。記憶體越大，製程缺陷造成 fail bit 的機率越高，進而影響整體良率。因此DDI 架構若要往高 SRAM 容量發展，關鍵在於後端是否具備足夠成熟的記憶體測試與修復能力。
透過 MBIST（Memory Built-In Self-Test）與 Memory BISR（Memory Built-In Self-Repair）技術，晶片可在晶圓測試階段提前找出 SRAM 中的缺陷區塊，並透過備援機制完成修復，有效提升整體良率。企業不必因為擔心良率下降而限制 SRAM 容量，而能透過先進的記憶體測試與修復技術，在提升效能的同時維持量產穩定性。
這也是芯測科技的核心優勢所在。芯測科技長期深耕 Memory Test、Repair 與 Diagnosis 技術，提供完整的 MBIST、MBISR 與記憶體測試演算法平台，協助客戶在設計階段就建立高覆蓋率的 SRAM 測試策略。面對 DDI、AI 晶片與車用 SoC 中不斷增加的 SRAM 容量需求，芯測科技能協助客戶有效提升記憶體良率、降低量產風險，並加速產品導入市場。