近期内存市场价格波动再次成为半导体产业焦点。尤其在 DRAM、利基型内存价格持续走升的情况下，许多依赖外挂 memory 的系统设计正面临新的成本压力。对显示驱动芯片（Display Driver IC, DDI）产业而言，影响层面不仅是采购成本问题，更牵涉下一代产品的架构选择。
在小尺寸显示应用，例如智能手机 OLED、穿戴装置或车载小型面板中，DDI 通常倾向将显示缓冲区直接做在芯片内部，以内嵌 SRAM 作为 frame buffer。这类架构的优势包括低延迟、低功耗、封装简化，且有助于装置轻薄化。
但到了大尺寸面板，例如电视、高阶显示器或大型车载中控屏幕，情况就不同了。当分辨率提升至 4K、8K，影像数据量暴增，若完全依靠内嵌内存，SRAM 面积可能大幅膨胀，导致芯片裸晶尺寸过大，进一步推高成本并影响良率。因此，这类 DDI 过去多采用外挂 DRAM 或 SDRAM，以较低的单位内存成本换取容量弹性。
然而市场条件正在改变。外挂 内存的最大优势一直是容量成本低，但其弱点也越来越明显。首先是供应链风险。外部内存价格容易受到景气循环、产能调整与供需失衡影响，造成 BOM 成本难以预估。其次是系统功耗与延迟问题。数据在 DDI 与外部内存间频繁搬移，不仅增加 I/O 功耗，也会形成带宽瓶颈。
相较之下，内嵌 SRAM 虽然占用芯片面积较大，却能提供极高带宽与极低延迟，尤其在高刷新率、高画质显示需求持续增加的情况下，其技术价值正在上升。值得注意的是，当外挂内存价格上涨，而 SRAM 成本相对稳定时，企业势必会重新评估架构的成本组合。
过去企业可能认为增加 SRAM 成本太高，因此选择外挂内存；但当外挂内存不再便宜，甚至带来供应风险时，直接提升 DDI 内嵌 SRAM 容量，反而可能成为更具策略性的选择。
当然，内嵌 SRAM 也会面临其他的挑战。SRAM 容量增加，意味着芯片上内存面积占比持续上升。在先进制程中，许多 SoC 的 SRAM 面积占比甚至已超过 50%。内存越大，制程缺陷造成 fail bit 的机率越高，进而影响整体良率。因此DDI 架构若要往高 SRAM 容量发展，关键在于后端是否具备足够成熟的内存测试与修复能力。
透过 MBIST（Memory Built-In Self-Test）与 Memory BISR（Memory Built-In Self-Repair）技术，芯片可在晶圆测试阶段提前找出 SRAM 中的缺陷区块，并透过备援机制完成修复，有效提升整体良率。企业不必因为担心良率下降而限制 SRAM 容量，而能透过先进的内存测试与修复技术，在提升效能的同时维持量产稳定性。
这也是芯测科技的核心优势所在。芯测科技长期深耕 Memory Test、Repair 与 Diagnosis 技术，提供完整的 MBIST、MBISR 与内存测试算法平台，协助客户在设计时间就建立高覆盖率的 SRAM 测试策略。面对 DDI、AI 芯片与车用 SoC 中不断增加的 SRAM 容量需求，芯测科技能协助客户有效提升内存良率、降低量产风险，并加速产品导入市场。