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DDI功能持續升級 帶動SRAM容量成長 MBIST與MBISR重要性同步提升

By 2026-06-11No Comments

近年顯示驅動晶片(Display Driver IC, DDI)市場持續朝向高解析度、高刷新率與智慧化顯示發展,無論是智慧型手機、車載顯示器、平板電腦或OLED應用,都對晶片內部資料處理能力提出更高要求。在此趨勢下,DDI內建SRAM容量正逐步增加,也讓記憶體測試與修復技術的重要性受到業界更多關注。

過去DDI主要負責畫面驅動功能,但隨著120Hz、144Hz甚至更高刷新率顯示技術普及,以及Local Dimming、顯示補償演算法、觸控整合(TDDI)等功能導入,晶片需要更多高速緩衝區(Buffer)與暫存空間來處理大量即時資料。因此,許多新世代DDI開始配置更大容量的Embedded SRAM,以滿足系統效能需求。

然而,SRAM容量增加也意味著晶片內記憶體面積占比持續提高。從半導體製造角度來看,記憶體陣列通常是最容易受到製程變異、微小缺陷與可靠度問題影響的區域之一。當SRAM規模愈大,潛在失效機率也會同步增加,進而影響晶片良率與產品品質。

在此背景下,Memory BIST(MBIST)技術的重要性日益提升。MBIST可於晶片內建自動化記憶體測試機制,於晶圓測試與封裝測試階段快速驗證SRAM品質,有效提高測試覆蓋率並縮短測試時間。對於擁有大量SRAM的DDI產品而言,MBIST已逐漸成為不可或缺的設計基礎設施。

除了測試之外,Memory BISR(Built-In Self-Repair)也受到更多關注。透過備援記憶體架構與自動修復機制,BISR能夠在發現記憶體缺陷後進行修補,提升可用晶片數量並改善整體良率。對於競爭激烈且出貨量龐大的DDI市場而言,良率每提升一個百分點,都可能帶來顯著的成本效益。

DDI內部SRAM容量成長已成為明確趨勢,未來如何透過MBIST、MBISR以及更先進的記憶體品質管理技術,確保大量SRAM在量產環境下維持高良率與高可靠度,將成為顯示驅動晶片開發的重要課題,也為記憶體測試與修復解決方案帶來更多發展機會。

芯測科技長期專注於記憶體測試與修復技術,提供完整的MBIST與MBISR解決方案;其中Repair功能更通過ISO 26262 TCL1 (Tool Confidence Level)軟體工具信賴水準認證。芯測科技開發的START™平台支援多種記憶體架構與先進製程節點,可協助客戶快速完成Memory BIST插入、自動化驗證與量產導入。針對日益複雜的SRAM設計需求,芯測科技更進一步結合Diagnosis、Repair Analysis以及UDA/TEC可客製化測試技術,讓工程團隊能依據不同產品品質目標、失效模式與DPPM要求,靈活調整測試策略。當DDI、AI晶片與車用晶片的SRAM容量持續成長,MBIST與MBISR已不再只是設計流程中的標準配備,而是提升良率、降低測試成本與確保產品可靠度的重要關鍵技術。