近年显示驱动芯片（Display Driver IC, DDI）市场持续朝向高分辨率、高刷新率与智能化显示发展，无论是智能型手机、车载显示器、平板计算机或OLED应用，都对芯片内部数据处理能力提出更高要求。在此趋势下，DDI内建SRAM容量正逐步增加，也让内存测试与修复技术的重要性受到业界更多关注。
过去DDI主要负责画面驱动功能，但随着120Hz、144Hz甚至更高刷新率显示技术普及，以及Local Dimming、显示补偿算法、触控整合（TDDI）等功能导入，芯片需要更多高速缓冲区（Buffer）与暂存空间来处理大量实时数据。因此，许多新世代DDI开始配置更大容量的Embedded SRAM，以满足系统效能需求。
然而，SRAM容量增加也意味着芯片内存储器面积占比持续提高。从半导体制造角度来看，内存数组通常是最容易受到制程变异、微小缺陷与可靠度问题影响的区域之一。当SRAM规模愈大，潜在失效机率也会同步增加，进而影响芯片良率与产品质量。
在此背景下，Memory BIST（MBIST）技术的重要性日益提升。MBIST可于芯片内建自动化内存测试机制，于晶圆测试与封装测试阶段快速验证SRAM质量，有效提高测试覆盖率并缩短测试时间。对于拥有大量SRAM的DDI产品而言，MBIST已逐渐成为不可或缺的设计基础设施。
除了测试之外，Memory BISR（Built-In Self-Repair）也受到更多关注。透过备援内存架构与自动修复机制，BISR能够在发现内存缺陷后进行修补，提升可用芯片数量并改善整体良率。对于竞争激烈且出货量庞大的DDI市场而言，良率每提升一个百分点，都可能带来显著的成本效益。
DDI内部SRAM容量成长已成为明确趋势，未来如何透过MBIST、MBISR以及更先进的内存质量管理技术，确保大量SRAM在量产环境下维持高良率与高可靠度，将成为显示驱动芯片开发的重要课题，也为内存测试与修复解决方案带来更多发展机会。
芯测科技长期专注于内存测试与修复技术，提供完整的MBIST与MBISR解决方案；其中Repair功能更通过ISO 26262 TCL1 (Tool Confidence Level)软件工具信赖水平认证。芯测科技开发的START™平台支持多种内存架构与先进制程节点，可协助客户快速完成Memory BIST插入、自动化验证与量产导入。针对日益复杂的SRAM设计需求，芯测科技更进一步结合Diagnosis、Repair Analysis以及UDA/TEC可客制化测试技术，让工程团队能依据不同产品质量目标、失效模式与DPPM要求，灵活调整测试策略。当DDI、AI芯片与车用芯片的SRAM容量持续成长，MBIST与MBISR已不再只是设计流程中的标准配备，而是提升良率、降低测试成本与确保产品可靠度的重要关键技术。