隨著製程的演進，人工智慧的蓬勃發展，記憶體的需求量逐漸升高，在此情況下，帶有修復功能的記憶體越發重要，但是如果一開始所使用的記憶體沒有自帶redundancy區塊，便無法進行修復，發生錯誤時只能將其拋棄，為此START™ v5提供了相對應的解決方式，透過Stand-Alone的功能，產生redundancy區塊，讓原先無法修復的記憶體，透過這個區塊進行修復，並且可以依照使用者，設計redundancy區塊的大小，來符合使用者的需求。
Stand-Alone Repair架構圖
架構如圖一，與之前的MBIST一樣，主要在於此功能會新增redundancy區塊，這區塊主要用來替換SRAM錯誤的地址，透過MBIST偵錯SRAM，將錯誤資訊存至TRA中，透過TCR進行切換，TCR會負責將系統與BIST進行切換，以此來保證在系統執行的情況下，操作到錯誤的地址時，也能夠進行修復。
圖一、Stand-Alone Repair架構圖
工具設定方式
Stand-Alone需要先填寫rmt (redundancy mapping file)檔，裡面會描述要做Stand-Alone的memory hierarchy以及memory的repair資訊，檔案範例如圖二，若再redundancy memory hierarchy設定為istart的話，工具會產生對應memory的redundancy module，方便使用者不用額外編寫redundancy的電路。
圖二、rmt(redundancy mapping file)檔範例
編寫完rmt檔案後，需要在BFL的設定檔中，設定圖三的選項。
圖三、BFL 選項
模擬方式
工具會產生相對應的fault module，因為在模擬fault時，會同時存在一般memory以及本身帶有redundancy的memory，所以在模擬時需要define REPAIR，確保我們工具產生的fault module只作用在Stand-Alone memory上。
圖四、Fault module define
我們的流程分為BFL以及BII，在相對應的流程都會產生模擬的環境，BFL階段模擬指令及結果如圖五、圖六，BII階段模擬指令及結果如圖七、圖八。
圖五、BFL模擬指令
圖六、BFL 模擬結果
圖七、BII 模擬指令
圖八、BII 模擬結果 (Soft repair)