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Webinar|高度可配置化eFlash IP測試與修復電路開發環境: EZ-NBIST

By 2023-07-037 11 月, 2023No Comments

1. 非揮發性記憶體(NVM)IP的測試方法

eFlash IP的測試方法涵蓋聯電40nm、55nm及SST 0.11um、0.18um晶圓,以及客製化嵌入式eFlash IP的所有晶圓分類及最終測試。芯測科技開發了圖形使用者介面(GUI)EZ-NBIST工具(可配置化非揮發性記憶體測試與修復電路開發環 境),以節省非揮發性記憶體(NVM) IP的BIST編碼時間。EZ-NBIST遵循eFlash供應商的測試方法,實現了所有測試項目的時序圖,並節省了ATE上長時間的平行測試。

2. 為什麼NVM IP需要使用BIST和BISR?

NVM IP的測試功能相當複雜,涉及各種干擾條件。記憶體BIST可在IC中增加邏輯,使得SoC可以自行測試其內部的記憶體操作。MBIST透過有效的測試演算法測試eFlash巨集,以檢測可能出現的所有故障問題。MBIST並根據 eFlash供應商的需求,生成測試模式並進行讀取,以找出eFlash中的缺陷。 BISR是增加修復電路,使用備份記憶體來提高eFlash IC的產品良率。

3. 芯測科技為NVM IP打造的BIST和BISR功能

芯測科技所開發的EZ-NBIST,即是用於生成eFlash IP的BIST和BISR的專屬EDA工具。芯測科技的BIST實現了所有eFlash的測試項目,涵蓋晶圓軟體測試和最終測試。BIST擁有靈活的串列 式介面,可減少IC測試接腳的使用,增加了BIST測試的彈性。所有測試項目可以個別啟用和停用;此工具並提供診斷模式以測試缺陷位址。芯測科技的BISR記錄了eFlash故障的記憶體位址,並使用備援區域來提高eFlash IC的產品良率,同時提供自動修復功能。