1. 非揮發性記憶體(NVM)IP的測試方法
eFlash IP的測試方法涵蓋聯電40nm、55nm及SST 0.11um、0.18um晶圓，以及客製化嵌入式eFlash IP的所有晶圓分類及最終測試。芯測科技開發了圖形使用者介面(GUI)EZ-NBIST工具(可配置化非揮發性記憶體測試與修復電路開發環 境)，以節省非揮發性記憶體(NVM) IP的BIST編碼時間。EZ-NBIST遵循eFlash供應商的測試方法，實現了所有測試項目的時序圖，並節省了ATE上長時間的平行測試。
2. 為什麼NVM IP需要使用BIST和BISR？
NVM IP的測試功能相當複雜，涉及各種干擾條件。記憶體BIST可在IC中增加邏輯，使得SoC可以自行測試其內部的記憶體操作。MBIST透過有效的測試演算法測試eFlash巨集，以檢測可能出現的所有故障問題。MBIST並根據 eFlash供應商的需求，生成測試模式並進行讀取，以找出eFlash中的缺陷。 BISR是增加修復電路，使用備份記憶體來提高eFlash IC的產品良率。
3. 芯測科技為NVM IP打造的BIST和BISR功能
芯測科技所開發的EZ-NBIST，即是用於生成eFlash IP的BIST和BISR的專屬EDA工具。芯測科技的BIST實現了所有eFlash的測試項目，涵蓋晶圓軟體測試和最終測試。BIST擁有靈活的串列 式介面，可減少IC測試接腳的使用，增加了BIST測試的彈性。所有測試項目可以個別啟用和停用；此工具並提供診斷模式以測試缺陷位址。芯測科技的BISR記錄了eFlash故障的記憶體位址，並使用備援區域來提高eFlash IC的產品良率，同時提供自動修復功能。