硅创电子已于全系列产品中全面导入芯测科技之EZ-BIST内存测试解决方案，用于建置芯片内部 SRAM 的 MBIST（Memory Built-In Self-Test）电路，成功支持旗下显示驱动 IC 于 40nm 至 110nm 制程节点的稳定量产。
硅创电子为专注于中小尺寸显示器驱动 IC（DDIC）的 Fabless IC 设计公司，产品广泛应用于工控、手机、物联网（AIoT）等终端装置，并具备涵盖 TN、STN、TFT 等多种显示技术的完整产品线。随着产品线与客户需求日益多元，如何在成熟制程下维持稳定的测试质量与开发效率，成为设计流程中的关键课题。
在此次合作中，硅创电子于全公司产品设计流程中导入芯测科技 EZ-BIST 工具，以高度自动化的方式完成 MBIST 电路建置。使用者回馈指出，EZ-BIST 操作直觉、使用门坎低，工程团队可依产品需求自行完成设定与整合，大幅降低内存测试电路导入的时间与人力成本，有效提升整体设计效率。
由于硅创电子主要产品采用之 110nm 等成熟制程节点，其量产良率本身已稳定维持在 95% 以上，因此在 SRAM 缺陷管理策略上，采取以 MBIST 检出为主、未导入修复机制。实际量产结果显示，透过 EZ-BIST 建立的内存测试流程，能有效检出潜在 SRAM 缺陷，且并未接获客户对 DPPM 表现的相关疑虑，显示其测试覆盖率与稳定度已符合产品与市场需求。
芯测科技表示，硅创电子的导入案例显示，即便在以成熟制程为主、且不以修复为必要条件的产品架构中，一套成熟、易用且高度自动化的 MBIST 解决方案，仍是确保量产质量与设计效率的重要基础。未来芯测科技将持续优化 EZ-BIST 与相关内存测试技术，协助更多显示驱动与多元应用 IC 客户，建立稳定且可长期扩展的测试架构。