芯测科技宣布，其自主开发的 MRAM BIST IP 已成功获深圳开阳电子股份有限公司(Arkmicro Technologies (Shenzhen) CO., Ltd.)采用，预计应用于 22nm 制程，并成功整合于 SoC 的 MRAM 功能。本次成果显示，芯测的 MRAM BIST IP 具备在 22nm 先进制程中进行 MRAM测试的能力，并能满足车规芯片质量的严格要求。
本次使用的MRAM BIST IP 以 JTAG 接口于 ATE 平台进行测试，支持制程端的 CP1 / CP2 / CP3 测试流程，可有效检测 MRAM 内存单元潜在缺陷。当测试过程中 IO 脚位输出异常，即可快速判定测试失败，协助工程师实时掌握良率状况。
MRAM BIST IP 具有自动微调电压功能，可快速完成出厂电压调整；IP 也具备自动修复功能，可自动完成 MRAM 缺陷地址的切换，让整体测试流程更自动化且更容易整合。
在系统整合层面上，此方案的测试 patterns 档案小，适合各种测试机台的应用，并能灵活配合不同 SoC 设计需求。同时亦可大幅缩短 ATE 测试时间并降低测试负载。MRAM 本身具备低功耗优势，搭配芯测科技的专利化技术，客户能在 SoC 设计时间更轻松完成完整的MRAM测试与验证，提升产品质量与量产效率。
芯测科技表示，除了本次的 MRAM BIST IP 外，公司完整的 NVM BIST IP 产品线（包含 eFlash BIST IP）也已陆续在车用芯片与消费性平台中完成验证。预计自今（2026）年起，相关产品将开始带来权利金收益，并持续拓展公司在非挥发性内存测试领域的市场版图。
此外，MRAM 凭借其低功耗、高耐久性及快速存取特性，正逐步在 AI 推论与边缘运算应用中展现优势。未来，结合芯测科技 BIST & BISR IP 的 MRAM 内存，可支持 SoC 在 AI 模型推论中频繁读写大规模参数的需求，提升推论速度并降低整体能耗，使消费性电子、智能装置及工业 AI 系统的整体效能与可靠性得到显著改善。